TSMC روند ساخت نودهای ۳ نانومتری EUV را آغاز کرده است
TSMC اعلام کرده است فرایند ساخت نودهای سهنانومتری این شرکت بهخوبی پیش میرود و آنها با اولین متقاضیان این نودها قرارداد بستهاند.
ساخت و تولید قطعات تکنولوژیک جدید هیچگاه در شرکتهای پیشرو مانند TSMC متوقف نمیشود؛ بنابراین، زیاد تعجب نخواهیم کرد از اینکه بشنویم این شرکت بزرگ هفتهی گذشته رسما اعلام کرد نودهای سهنانومتری (3nm nodes) بهنام N3 در راه آمادهسازی است. بهنظر میرسد روند تولید این قطعات از مرحله تحقیق و روشیابی عبور کرده و TSMC عملا با برخی از اولین مشتریان این قطعات قرار داد بسته است. سی. سی. وی (C. C. Wei)، مدیر و رئیس شرکت TSMC، در جمع سرمایهگذاران و تحلیلگران اقتصادی گفت:
روند توسعهی تکنولوژی در N3 بهخوبی پیش میرود و ما با اولین مشتریان آن قرارداد بستهایم. انتظار داریم تکنولوژی سهنانومتری ما همچنان باعث پیشروبودنمان در آیندهی تکنولوژی باشد.
ازآنجاکه N3 هنوز در مراحل اولیهی تولید است، TSMC دربارهی جزئیات و ویژگیهای خاص یا مزایایش در مقایسه با N5 مطلبی نگفته است. بااینحال، این شرکت گفته است همهی ساختارهای ترانزیستوری ممکن برای تکنولوژی سهنانومتری را بررسی کرده و نهایتا به راهحل بسیار خوبی رسیده است که مناسب مشتریان آنها است. این ساختار در حال ساخت است و TSMC اطمینان دارد که محصول نهایی انتظارات مشتریان پرآوازه و پیشرو آنها را برآورده خواهد کرد.
یکی از بزرگترین رقبای TSMC در این زمینه سامسونگ است که برنامهریزی کرده در تکنولوژی سهنانومتری خود از ترانزیستورهایی برمبنای نانولایهی Gate-All-Around MBCFET استفاده کند. ازآنجاکه TSMC باید بتواند با رقیب خود رقابت کند، انتظار میرود نودهای سهنانومتری این شرکت در مقایسه با نوع پنجمیلیمتری بسیار ارتقا یافته باشد. درحقیقت، TSMC تأیید کرده است N3 تکنولوژی جدیدی است و مدلی ارتقایافته از N5 بهحساب نمیآید.
درعینحال، باید اشاره کرد N3 که تولید شرکت TSMC است، از لیتوگرافی فرابنفش عمیق (Deep Ultraviolet) یا DUV و فرابنفش فراوان (Extreme Ultraviolet) یا EUV استفاده میکند. در N5 تا ۱۴ لایه EUV استفاده میشد و بهنظر میرسد قرار است در N3 تعداد لایههای بیشتری استفاده شود. ناگفته نماند بزرگترین شرکت تولید نیمههادیها از روند EUV خود بسیار راضی است و آن را عنصر مهمی برای آینده ی خود تصور میکند.
